根據(jù)外媒的星nm芯新消息消息報(bào)道稱，三星電子公司近日正式宣布已開始量產(chǎn)3納米芯片，片最三星電子正押注于將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于3 納米工藝，星nm芯新消息并且計(jì)劃于2025年量產(chǎn)基于GAA的片最2nm芯片，以追趕臺(tái)積電。星nm芯新消息
據(jù)了解，片最GAA 是星nm芯新消息下一代工藝技術(shù)，GAA 結(jié)構(gòu)可以比 FinFET 工藝更精確地控制電流，片最相對(duì)于其5納米芯片，星nm芯新消息初代3納米芯片可減少45%的片最能耗，提升23%的星nm芯新消息性能并減少16%的面積，第一代3納米工藝采用GAA晶體管技術(shù)，片最大幅提升了效能。星nm芯新消息
目前，片最三星電子公司已經(jīng)成為全球首家量產(chǎn)3納米芯片的星nm芯新消息半導(dǎo)體晶圓代工廠，3納米全環(huán)繞柵極制程工藝節(jié)點(diǎn)已經(jīng)開始量產(chǎn)首批芯片，這也意味著從現(xiàn)在到2025年這三年時(shí)間三星將獨(dú)享此種技術(shù)工藝，力爭在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域趕超臺(tái)積電。
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