半導體產業網獲悉：6月30日，中國制在2023上海國際半導體展覽會（SEMICON China）上，電科中國電子科技集團旗下中電科電子裝備集團有限公司發布了最新研制的布最備8英寸碳化硅外延設備，成功突破關鍵技術及工藝，新研進一步推進碳化硅電力電子器件制造降本增效，英寸延設牽引碳化硅行業向低成本、碳化規模化方向發展，硅外也標志著國產第三代半導體專用核心裝備邁進“8英寸時代”。中國制

據中國電科48所黨委書記王平透露，電科此次48所發布的布最備8英寸碳化硅外延設備有三個突破性的指標，分別是新研采用該設備生產的8英寸生長厚度均勻性小于1.5%、摻雜濃度均勻性小于4%、英寸延設表面致命缺陷小于0.4個/cm2。碳化這些技術指標的硅外突破，標志著電科裝備已成功掌握8吋SiC外延設備相關技術。中國制據悉，目前該設備已完成首輪工藝驗證。

此前，在6英寸碳化硅外延機型方面，48所收獲了國內第三代半導體裝備行業的第一大訂單。該所研發的芯片制造關鍵裝備碳化硅高溫離子注入機已實現100%國產化，穩居國內市場占有率第一。

據《中國電子報》報道，中國電科48所黨委書記王平向記者介紹，碳化硅晶圓面積從6英寸提升至8英寸，主要在兩個方面有明顯的提升：

■ 一是能夠讓單位芯片成本下降50%

■ 二是單個晶圓片的產出率能提高90%

但是，在提升晶圓面積的同時，如何保證良率是目前需要解決的難題，也是目前8英寸晶圓設備面臨的挑戰之一。擴大尺寸是產業鏈降本增效的有效路徑之一。但在擴大尺寸的同時，還需要克服大尺寸外延生長反應源沿程損耗突出、溫流場分布不均等難題，這些困難均需要通過8英寸晶圓設備來解決。

雖然8英寸晶圓設備是目前國內外都在積極布局的新技術，但如今市場仍處于相對藍海階段。因此，對于本土寬禁帶半導體企業而言，8英寸碳化硅設備的研發，也是一個絕佳的發展道路。

此外，王平介紹，48所著力在外延、注入、氧化、激活等專用核心裝備上發力突破，結合立式擴散爐、物理氣相沉積等通用設備和半導體芯片生產線的建線經驗，成為國內唯一具備提供碳化硅整線集成解決方案能力的單位。

展會現場，技術人員表示，自主研發的4-6英寸單晶生長爐達到國內先進水平；碳化硅高溫離子注入機實現完全自主創新，穩居國內市場占有率第一；6英寸碳化硅外延設備，創造國內第三代半導體裝備行業第一大訂單；國內首臺SiC晶圓缺陷檢測設備成功研制，6英寸核心設備整線集成能力大幅躍升。