IT之家 8 月 19 日消息，消息臺媒《工商時報》本月 16 日報道稱，稱英英偉達已啟動自家 HBM 內(nèi)存 Base Die（IT之家注：基礎裸片）設計計劃。偉達英偉達未來的擬自內(nèi)存 HBM 內(nèi)存供應鏈將采用內(nèi)存原廠 DRAM Die + 英偉達 Base Die 的組合模式，有望改寫下一代 HBM 市場競爭版圖。研H藝
據(jù)悉英偉達的試產(chǎn)自研 HBM Base Die 將采用 3nm 工藝制程，預計于 2027 年下半年開始小規(guī)模試產(chǎn)。消息這一時間點大致對應 "Rubin" 后的稱英下一代 AI GPU "Feynman"。
由于傳輸速率、偉達功能兩方面的擬自內(nèi)存要求提升，從 HBM4 開始 HBM 內(nèi)存的研H藝 Base Die 轉(zhuǎn)向邏輯半導體制程，而英偉達在這一領域的試產(chǎn)設計經(jīng)驗明顯多于 SK 海力士這樣的純存儲半導體制造商。
英偉達自研 Base Die 有助于加強其對 HBM 內(nèi)存的消息議價能力，利于向 Base Die 導入一系列高級功能，稱英且能為采用 NVLink Fusion IP 的偉達第三方 ASIC 提供更多模塊化組合。
