車規(guī)AECQ100認證解析車載IC芯片AECQ100認證測試
核心提示:AEC-Q100認證是車規(guī)車載測試什么 AEC-Q100對IC的可靠性測試可細分為加速環(huán)境應力可靠性、加速壽命模擬可靠性、認證認證封裝可靠性、解析晶圓制程可靠性 AEC-Q100認證是芯片什么 AEC-Q100對IC的可靠性測試可細分為加速環(huán)境應力可靠性、加速壽命模擬可靠性、車規(guī)車載測試封裝可靠性、認證認證晶圓制程可靠性、解析電學參數(shù)驗證、芯片缺陷篩查、車規(guī)車載測試包裝完整性試驗,認證認證且需要根據(jù)器件所能承受的解析溫度等級選擇測試條件。需要注意的芯片是,*三方難以獨立完成AEC-Q100的車規(guī)車載測試驗證,需要晶圓供應商、認證認證封測廠配合完成,解析這更加考驗對認證試驗的整體把控能力。廣電計量將根據(jù)客戶的要求,依據(jù)標準對客戶的IC進行評估,出具合理的認證方案,從而助力IC的可靠性認證。 如果成功完成根據(jù)本文件各要點需要的測試結果,那么將允許供應商聲稱他們的零件通過了AEC Q100認證。供應商可以與客戶協(xié)商,可以在樣品尺寸和條件的認證上比文件要求的要放寬些,但是只有完成要求實現(xiàn)的時候才能認為零件通過了AEC Q100認證。 芯片可靠性驗證(RA): 芯片級預處理(PC)&MSL試驗、J-STD-020&JESD22-A113; 高溫存儲試驗(HTSL),JESD22-A103; 溫度循環(huán)試驗(TC),JESD22-A104; 溫濕度試驗(TH/THB),JESD22-A101; 高加速應力試驗(HTST/HAST),JESD22-A110; 高溫老化壽命試驗(HTOL),JESD22-A108; 芯片靜電測試(ESD): 人體放電模式測試(HBM),JS001; 元器件充放電模式測試(CDM),JS002; 閂鎖測試(LU),JESD78; 芯片IC失效分析(FA): 光學檢查(VI/OM); 掃描電鏡檢查(FIB/SEM) 微光分析定位(EMMI/InGaAs); OBIRCH; Micro-probe; 聚焦離子束微觀分析(FIB) 彈坑試驗(cratering) 芯片開封(decap) 芯片去層(delayer) 晶格缺陷試驗(化學法) PN結染色/碼染色試驗 推拉力測試(WBP/WBS) 紅墨水試驗 PCBA切片分析(X-section) 芯片材料分析: 高分辨TEM(形貌、膜厚測量、電子衍射、STEM、HAADF); SEM(形貌觀察、截面觀察、膜厚測量、EBSD) Raman(Raman光譜) AFM(微觀表面形貌分析、臺階測量) AEC-Q100試驗后芯片失效分析項目: 形貌分析技術:體視顯微鏡、金相顯微鏡、X射線透視、聲學掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束。 成分檢測技術:X射線能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質譜SIMS、光譜、色譜、質譜 電分析技術:I-V曲線、半導體參數(shù)、LCR參數(shù)、集成電路參數(shù)、頻譜分析、ESD參數(shù)、電子探針、機械探針、絕緣耐壓、繼電器特性。 開封制樣技術:化學開封、機械開封、等離子刻蝕、反應離子刻蝕、化學腐蝕、切片。 缺陷定位技術:液晶熱點、紅外熱像、電壓襯度、光發(fā)射顯微像、OBIRCH。 AECQ100認證測試周期: 3-4個月,提供的認證計劃、測試、報告等服務。 測試地點: 廣電計量廣州總部、廣電計量上海試驗室。 廣州廣電計量檢測股份有限公司(GRGT)失效分析實驗室AEC-Q技術團隊,執(zhí)行過大量的AEC-Q測試案例,積累了豐富的認證試驗經驗,可為您提供更**、更可靠的AEC-Q認證試驗服務。 AECQ100技術交流及業(yè)務咨詢:GRGT張工 186-2090+8348 zhanghp grgtest.com