美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是美光全球內存與存儲解決方案的領先供應商，近日宣布已經開始量產其HBM3E高帶寬內存解決方案。科技開始寬內這一重要的量產里程碑式進展再次證明了美光在內存技術領域的行業領先地位。
據了解，高帶英偉達（NVIDIA）的存解H200 Tensor Core GPU將采用美光的8層堆疊24GB容量HBM3E內存。這種內存技術的決方高帶寬和低延遲特性使得它成為人工智能（AI）和高性能計算（HPC）應用的理想選擇。預計H200 GPU搭載美光HBM3E內存的美光產品將于2024年第二季度開始出貨。
HBM3E內存是科技開始寬內美光最新的高帶寬內存技術，與前代產品相比，量產它在性能和能效方面有了顯著提升。高帶這種內存技術通過8層堆疊設計，存解實現了高達24GB的決方內存容量，同時保持了極低的美光延遲和出色的帶寬性能。這使得HBM3E內存成為處理大規模數據和高計算密集型任務的科技開始寬內理想選擇，尤其適用于AI和HPC領域。量產
英偉達作為全球領先的GPU供應商，一直在推動GPU技術的發展。其H200 Tensor Core GPU采用了美光的HBM3E內存，將進一步提升GPU的性能和能效。這將使得H200 GPU在處理AI和HPC應用時更加高效，為用戶提供更好的體驗。
總之，美光科技股份有限公司的HBM3E高帶寬內存解決方案的量產和英偉達H200 Tensor Core GPU的采用，標志著內存和GPU技術的又一次重要突破。這一進展將推動AI和HPC領域的發展，為用戶帶來更加高效和強大的計算能力。
