韓媒傳出，良率低高頻寬記憶體（HBM）良率遠低於傳統記憶體產品，產量通過輝達（Nvidia Corp.）品質測試（qualification test）難度大增，堪慮讓市場擔憂產量。韓媒

Wccftech 4日引述韓國媒體DealSite報導，難通美光（Micron）、過輝SK 海力士（SK Hynix）等HBM廠商面臨良率低迷窘境，達品為了通過輝達次世代AI GPU品質測試，質測正在激烈競爭。良率低

HBM良率高低，產量主要與堆疊架構複雜度有關，堪慮牽涉到多重記憶體階層，韓媒以及各層連結用的難通直通矽晶穿孔（Through-Silicon Via，TSV）。過輝這些複雜技術增加製程出現缺陷的達品機率，可能讓良率低於設計簡單的記憶體。

此外，HBM一旦有個晶片有缺陷，整個封裝都需丟棄，因此產量很低。消息顯示，HBM整體良率約65%，若業者試圖拉高良率，產量就會下降。

美光2月26日宣布量產高頻記憶體「HBM3E」，用於輝達最新AI晶片「H200」Tensor Core繪圖處理器（GPU）。H200預定2024年第二季出貨，取代目前算力最強大H100。

（本文由?MoneyDJ新聞?授權轉載；首圖來源：美光）

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