三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的星電1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的量產(chǎn)持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲市場即將迎來一場革命性的第代變革。

自今年四月成功量產(chǎn)三層單元（TLC）第九代V-NAND以來，星電三星不斷突破技術(shù)邊界，量產(chǎn)迅速將QLC版本的第代第九代V-NAND推向市場。這款創(chuàng)新產(chǎn)品不僅容量大幅提升，星電還計劃廣泛應(yīng)用于品牌消費類電子產(chǎn)品、量產(chǎn)移動通用閃存、第代個人電腦以及服務(wù)器SSD等多個領(lǐng)域，星電為包括云服務(wù)提供商在內(nèi)的量產(chǎn)廣大客戶帶來更高效、可靠的第代數(shù)據(jù)存儲解決方案。

三星此次量產(chǎn)的星電QLC第九代V-NAND，依托其獨步業(yè)界的量產(chǎn)通道孔蝕刻技術(shù)和雙堆棧架構(gòu)設(shè)計，實現(xiàn)了行業(yè)內(nèi)前所未有的第代單元層數(shù)，同時通過一系列創(chuàng)新技術(shù)優(yōu)化，顯著提升了產(chǎn)品的性能表現(xiàn)和數(shù)據(jù)可靠性，為用戶帶來前所未有的使用體驗。這一舉措無疑將進一步鞏固三星在全球存儲市場的領(lǐng)先地位，并推動整個行業(yè)向更高容量、更高效率的方向邁進。