英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的英飛用 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，凌推主要應用于服務器和計算應用中的出首低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是款采首家推出15 V 功率 MOSFET 的半導體制造商，采用全新系統和應用優化的技術OptiMOS 7 MOSFET 技術。新產品創建行業新基準，溝槽功率我們使客戶能夠在低輸出電壓的英飛用 DC-DC 轉換領域邁出新的一步, 釋放更優秀系統效率和性能，賦能未來。凌推

與 OptiMOS 5 25 V 相比，出首更低的款采擊穿電壓可顯著降低通態電阻RDS(on)和 FOMQg/FOMQOSS，成為同類最佳的技術產品。可選的溝槽功率組合包括 PQFN 3.3x3.3 mm2源極底置封裝（帶底部和雙面散熱型）、襯底上的英飛用標準柵和中心柵電極，可靈活優化的凌推 PCB布局設計，以及緊湊的出首超小型PQFN 2x2 mm2封裝。脈沖電流能力超過 500 A，Rthjc為 1.6 K/W。結合源極底置封裝，不僅降低了導通和開關損耗，同時簡化散熱管理，還將功率密度和效率推向了新高度。該產品系列為支持數據中心配電架構的新趨勢（如48:1 DC-DC 轉換）提供了飛躍性的支持，開啟服務器、數據通信和人工智能應用升級的新篇章，同時最大限度地減少了碳足跡。

主要特點

業內首款 15 V 溝槽功率 MOSFET

與 25 V 節點相比，RDS(on) 達到新基準

出色的 FOMQg/ FOMQOSS

極低的寄生效應

提供標準和中心柵極引腳

可選雙面散熱型

主要優勢

適用于高轉換率DC-DC 轉換器

降低導通/開關損耗

最佳開關性能和低過沖

源極底置中心柵極可優化并聯電路布局

源極底置標準柵極可與現有PCB 布局輕松匹配

雙面散熱，提高散熱性能

價值主張

適用于高比率 DC-DC 轉換器：

業內首款工業級 15V 垂直溝槽技術功率MOSFET

與 OptiMOS 5 25V 相比，RDS(on),max4,5 降低 30%

出色的 FOMQOSS 和 FOMQg

緊湊的PQFN 2x2 mm2封裝

ID（pulse）=516A，RthJCmax=3.2K/W

雙面散熱PQFN 3.3x3.3 mm2源極底置封裝：

- 簡化散熱管理

- 降低系統溫度

提高功率密度

15V產品組合

審核編輯：湯梓紅