GD32F103是GD早期的產品，GD32E103和GD32F303是對GD32F103的升級和優化，所以4者是兼容的，雖然內核不同，但是通用外設幾乎很少涉及到內核部分，在時間急迫的情況下可以使用ST的庫開發。
一、相同點
1）外圍引腳PIN TO PIN兼容，每個引腳上的復用功能也完全相同。
2）芯片內部寄存器、外部IP寄存器地址和邏輯地址完全相同，但是有些寄存器默認值不同，有些外設模塊的設計時序上和STM32有差異，這點差異主要體現在軟件上修改，詳情見下文。
3）編譯工具：完全相同例如：KEIL 、IAR
4）型號命名方式完全相同，所以替代只需找尾綴相同的型號即可，例如：STM32F103C8T6 與 GD32E103C8T6。
5）仿真工具：JLINK GDLINK
二、外圍硬件區別
三、硬件替換需要注意的地方
從上面的介紹中，我們可以看出，GD32F30/E103系列和STM32F103系列是兼容的，但也需要一些注意的地方。
1）BOOT0必須接10K下拉或接GND，ST可懸空，這點很重要。
2）RC復位電路必須要有，否則MCU可能不能正常工作，ST的有時候可以不要。
3）有時候發現用仿真器連接不上。因為GD的swd接口驅動能力比ST弱，可以有如下幾種方式解決：
a、線盡可能短一些；
b、降低SWD通訊速率；
c、SWDIO接10k上拉，SWCLK接10k下拉。
4）使用電池供電等，注意GD的工作電壓，例如跌落到2.0V~2.6V區間，ST還能工作，GD可能無法啟動或工作異常。
四、使用ST標準庫開發需要修改的地方
1）GD對時序要求嚴格，配置外設需要先打開時鐘，在進行外設配置，否則可能導致外設無法配置成功；ST的可以先配置在開時鐘。
2）修改外部晶振起振超時時間，不用外部晶振可跳過這步。
原因：GD與ST的啟動時間存在差異，為了讓GD MCU更準確復位。
修改：
將宏定義：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500)修改為：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0xFFFF)
3）GD32F10X flash取值零等待，而ST需要2個等待周期，因此，一些精確延時或者模擬IIC或SPI的代碼可能需要修改。
原因：GD32采用專利技術提高了相同工作頻率下的代碼執行速度。
修改：如果使用for或while循環做精確定時的，定時會由于代碼執行速度加快而使循環的時間變短，因此需要仿真重新計算設計延時。使用Timer定時器無影響。
4）在代碼中設置讀保護，如果使用外部工具讀保護比如JFLASH或脫機燒錄器設置，可跳過此步驟。
在寫完KEY序列后，需要讀該位確認key已生效，修改如下：
總共需要修改如下四個函數：
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);
5）GD與ST在flash的Erase和Program時間上有差異，修改如下：
6）需求flash大于256K注意，小于256K可以忽略這項。
與ST不同，GD的flash存在分區的概念，前256K，CPU執行指令零等待，稱code區，此范圍外稱為dataZ區。兩者在擦寫操作上沒有區別，但在讀操作時間上存在較大差別，code區代碼取值零等待，data區執行代碼有較大延遲，代碼執行效率比code區慢一個數量級，因此data區通常不建議運行對實時性要求高的代碼，為解決這個問題，可以使用分散加載的方法，比如把初始化代碼，圖片代碼等放到data區。
總結：至此，經過以上修改，在不使用USB和網絡能復雜協議的代碼，就可以使用ST的代碼操作了。
中科芯（CETC）
雅特力（Artery）
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中微股份（CMSemicon）
航順（Hangshun）
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成功為華為“續命：中國芯片之父張汝京
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