英特爾 (intel) 近日宣布，英特已經接收市場首套具有 0.55 數值孔徑（High-NA）的爾拿 ASML 極紫外（EUV）曝光機，將協助其在未來幾年大成更先進的下首晶片製程技術。與之形成對比的英特是，臺積電當前則視似乎按兵不動，爾拿並不急於加入這場下一代曝光技術的下首競賽。市場分析師預計，英特臺積電可能要到 1.4 奈米 (A14)，爾拿或是下首更晚的 2030 年之後才會採用這項技術。

英特爾這次獲得的英特 High-NA EUV 曝光機將首先用於學習和掌握這項技術，並預計在未來兩到三年內用於 intel 18A 製程技術之後的爾拿制程節點。相較之下，下首臺積電則採取更加謹慎的英特策略，市場分析師就認為，爾拿臺積電可能要到預計的下首 A1.4 製程，或者是 2030 年之後才會採用 High-NA EUV 曝光機。

分析師表示，與英特爾計劃將 High-NA EUV 與 GAA 電晶體同時導入 intel 20A 製程技術不同的是，預計臺積電將在 A14 製程技術之後才導入 High-NA EUV，甚至時間將更晚到 2030 年以後。

事實上，英特爾積極的製程技術發展路線，包括從 intel 20A 開始導入 RibbonFET 全環柵電晶體架構和 PowerVia 背面供電技術。然後，在 intel 18A 進一步優化，並在 intel 18A 之後製程節點採用 High-NA EUV 曝光機，以達到更低功耗、更高性能，以及更小晶片尺寸的目標。

市場分析師認為，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高於 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因。因為臺積電更傾向於採用成本更低的成熟技術，以確保產品競爭力。因為 High-NA EUV 需要更高的光源功率才能驅動更精細的曝光尺寸，這會加速投影光學器件和光罩的磨損，抵消了更高產能的優勢。因此，這與臺積電以最具成本競爭力的技術瞄準市場的策略一致。

而臺積電早在 2019 年就開始在晶片量產中使用 EUV 曝光機，雖然比三星晚了幾個月，辦事比英特爾卻早了幾年的時間。當前，英特爾希望在 High-NA EUV 領域搶先三星和臺積電，以獲得一定的技術和戰略優勢，增加客戶的青睞程度。所以，一旦臺積電等更晚才採用 High-NA EUV 曝光機，能否持續保住其在製程技術方面的領先地位，則需要後續持續觀察。

(首圖來源：ASML)