英特爾與軟銀合作，英特銀成將開發可取代高頻寬記憶體（HBM）的爾軟堆疊式 DRAM 解決方案。據日經報導，立新兩間產業巨頭成立一間名為「Saimemory」的公司新公司，將基於英特爾技術與東京大學等日本學術界的年打專利，共同打造原型。替代
該公司目標是英特銀成 2027 年前完成原型設計並評估量產可行性，力拚 2030 年前實現商業化。爾軟
目前大多數 AI 處理器皆使用 HBM 晶片，立新這類晶片非常適合暫存 AI GPU 所處理的公司大量資料，但由於 HBM 製程相對複雜、年打成本高昂，替代且容易過熱、英特銀成耗電較多。爾軟
據報導，立新這項合作將利用英特爾和東大分別擁有的先進技術，開發低耗電且低成本的新一代記憶體，透過堆疊 DRAM 晶片、優化連接方式，達到比現行的先進記憶體至少儲存容量大一倍、耗電量減少 40%，並大幅降低成本。據悉，這款堆疊式 DRAM 晶片耗電量可望比同級 HBM 減半。
軟銀將為這家新公司最大股東，出資約 30 億日圓，該公司計劃初期研發的經費約 150 億日圓。
若這項技術成功，軟銀希望優先取得這些晶片的供應權。目前全球僅有三星、SK 海力士與美光三間公司能生產最新一代 HBM 晶片。由於 AI 晶片需求旺盛，HBM 供應持續吃緊，Saimemory 希望藉由這項替代產品，搶攻至少日本資料中心的市場。此外，這也是日本 20 多年來首度力圖重返記憶體晶片主要供應國之列。
日本廠商在 1980 年代曾一度壟斷全球約七成記憶體供應，但隨著韓國與臺灣廠商崛起，日本業者逐漸被市場邊緣化。
這並非首次有半導體公司嘗試 3D 堆疊式 DRAM 技術。三星早在去年已宣布推出 3D 堆疊式 DRAM，另一間公司 NEO Semiconductor 也正開發名為 3D X-DRAM 的新技術。然而，這些方案主要著眼於提升單一晶片的容量，目標為打造 512GB 的大容量記憶體模組。相較之下，Saimemory 則聚焦於降低耗電量，這對電力需求年年攀升的 AI 資料中心來說，無疑是迫切的新解方。
- Intel and SoftBank collaborate on power-efficient HBM substitute for AI data centers, says report
（首圖來源：shutterstock）
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