英特爾與軟銀合作，英特銀成將開發(fā)可取代高頻寬記憶體（HBM）的爾軟堆疊式 DRAM 解決方案。據(jù)日經(jīng)報導(dǎo)，立新兩間產(chǎn)業(yè)巨頭成立一間名為「Saimemory」的公司新公司，將基於英特爾技術(shù)與東京大學(xué)等日本學(xué)術(shù)界的年打?qū)＠餐蛟煸汀Ｌ娲?
該公司目標是英特銀成 2027 年前完成原型設(shè)計並評估量產(chǎn)可行性，力拚 2030 年前實現(xiàn)商業(yè)化。爾軟
目前大多數(shù) AI 處理器皆使用 HBM 晶片，立新這類晶片非常適合暫存 AI GPU 所處理的公司大量資料，但由於 HBM 製程相對複雜、年打成本高昂，替代且容易過熱、英特銀成耗電較多。爾軟
據(jù)報導(dǎo)，立新這項合作將利用英特爾和東大分別擁有的先進技術(shù)，開發(fā)低耗電且低成本的新一代記憶體，透過堆疊 DRAM 晶片、優(yōu)化連接方式，達到比現(xiàn)行的先進記憶體至少儲存容量大一倍、耗電量減少 40%，並大幅降低成本。據(jù)悉，這款堆疊式 DRAM 晶片耗電量可望比同級 HBM 減半。
軟銀將為這家新公司最大股東，出資約 30 億日圓，該公司計劃初期研發(fā)的經(jīng)費約 150 億日圓。
若這項技術(shù)成功，軟銀希望優(yōu)先取得這些晶片的供應(yīng)權(quán)。目前全球僅有三星、SK 海力士與美光三間公司能生產(chǎn)最新一代 HBM 晶片。由於 AI 晶片需求旺盛，HBM 供應(yīng)持續(xù)吃緊，Saimemory 希望藉由這項替代產(chǎn)品，搶攻至少日本資料中心的市場。此外，這也是日本 20 多年來首度力圖重返記憶體晶片主要供應(yīng)國之列。
日本廠商在 1980 年代曾一度壟斷全球約七成記憶體供應(yīng)，但隨著韓國與臺灣廠商崛起，日本業(yè)者逐漸被市場邊緣化。
這並非首次有半導(dǎo)體公司嘗試 3D 堆疊式 DRAM 技術(shù)。三星早在去年已宣布推出 3D 堆疊式 DRAM，另一間公司 NEO Semiconductor 也正開發(fā)名為 3D X-DRAM 的新技術(shù)。然而，這些方案主要著眼於提升單一晶片的容量，目標為打造 512GB 的大容量記憶體模組。相較之下，Saimemory 則聚焦於降低耗電量，這對電力需求年年攀升的 AI 資料中心來說，無疑是迫切的新解方。
- Intel and SoftBank collaborate on power-efficient HBM substitute for AI data centers, says report
（首圖來源：shutterstock）
延伸閱讀：
- 軟銀與英特爾攜手開發(fā)高效能 AI 記憶體，電力消耗減半
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