媒體報(bào)導(dǎo)，奈米經(jīng)多方評(píng)比後，先進(jìn)性晶圓代工龍頭臺(tái)積電最終決定將下一階段 1 奈米先進(jìn)製程工廠(chǎng)選址定在嘉義科學(xué)園區(qū)，製程總投資金額將達(dá)到新臺(tái)幣兆元。落腳對(duì)此，嘉義臺(tái)積電表示，臺(tái)積選擇設(shè)廠(chǎng)地點(diǎn)有諸多考量因素，排除臺(tái)積電以臺(tái)灣做為主要基地，任何不排除任何可能性，奈米也持續(xù)與科學(xué)園區(qū)管理局合作評(píng)估合適的先進(jìn)性建廠(chǎng)用地。

媒體報(bào)導(dǎo)，製程消息人士指出，落腳臺(tái)積電接下來(lái) 1 奈米先進(jìn)製程將落腳嘉義科學(xué)園區(qū)，嘉義而臺(tái)積電也已經(jīng)向相關(guān)管理局提出 100 公頃用地需求，臺(tái)積其中 40 公頃將先設(shè)立先進(jìn)封裝廠(chǎng)，排除後續(xù)的 60 公頃將做為 1 奈米先進(jìn)製程的建廠(chǎng)用地。市場(chǎng)人士評(píng)估，臺(tái)積電 1 奈米先進(jìn)製程的總投資金額將超過(guò)新臺(tái)幣兆元。

報(bào)導(dǎo)表示，在先前舉行的 IEDM 2023 會(huì)議上，臺(tái)積電已經(jīng)公開(kāi)提供包含 1 兆個(gè)電晶體的晶片封裝路線(xiàn)，這一計(jì)畫(huà)與英特爾 2023 年所透露的規(guī)劃類(lèi)似。而為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，該公司重申正在致力於 2 奈米製程的 N2 和 N2P 節(jié)點(diǎn)製程生產(chǎn)，以及 1.4 奈米的 A14 和 1 奈米的 A10 先進(jìn)製程研發(fā)，預(yù)計(jì)將於 2030 年完成。

此外，現(xiàn)階段臺(tái)積電也預(yù)計(jì)封裝技術(shù)，包括 CoWoS、InFO、SoIC 等技術(shù)也將不斷取得發(fā)展，使其能夠在 2030 年左右建構(gòu)封裝超過(guò) 1 兆個(gè)電晶體的大規(guī)模多晶片解決方案。

(首圖來(lái)源：臺(tái)積電)