晶圓代工龍頭臺積電在近日舉辦的臺積推出 IEEE 國際電子元件會議（IEDM）的小組研討會上透露，其 1.4 奈米製程技術(shù)研發(fā)已經(jīng)全面展開。電奈同時，米製臺積電重申，程將稱為2 奈米製程技術(shù)將按計畫於 2025 年開始量產(chǎn)。計年

外媒報導(dǎo)，期間臺積電的臺積推出 1.4 奈米製程技術(shù)的正式名稱為 A14，不過在會議上，電奈臺積電尚未透露 A14 製程技術(shù)的米製量產(chǎn)時間和具體參數(shù)。但因為到 2 奈米製程技術(shù)將在於 2025 年底量產(chǎn)，程將稱為接下來的計年 N2P 製程技術(shù)於 2026 年底量產(chǎn)，因此 A14 製程技術(shù)預(yù)計將會在 2027~2028 年問世。期間

在技術(shù)方面，臺積推出A14 製程技術(shù)不太可能採用垂直堆疊互補(bǔ)場效應(yīng)電晶體（CFET）技術(shù)。電奈不過，米製臺積電仍在發(fā)展這項技術(shù)。因此，A14 可能將像 N2 製程技術(shù)一樣，依賴於臺積電的第二代或第三代環(huán)繞柵極場效應(yīng)電晶體（GAAFET）技術(shù)。另外，N2 和 A14 製程技術(shù)也需要系統(tǒng)級優(yōu)化，才能真正發(fā)揮作用，並達(dá)成新的性能、功耗水準(zhǔn)。

報導(dǎo)表示，當(dāng)前還不清楚臺積電是否會真的在 2027~2028 年的時間點量產(chǎn) A14 製程技術(shù)採用 High-NA EUV 曝光技術(shù)。只是，考量到屆時英特爾預(yù)計將採用 High-NA EUV 曝光技術(shù)的情況下，臺積電使用這些機(jī)器應(yīng)該相當(dāng)容易入手。然而，由於 High-NA EUV 曝光技術(shù)將打光罩尺寸減半，這將給晶片設(shè)計人員和製造商帶來一些新的需求和挑戰(zhàn)。

當(dāng)然，從現(xiàn)在到 2027~2028 年，當(dāng)中很多事情都可能還會有所發(fā)生變化，但可以肯定的是，臺積電的工程師和開發(fā)人員正在致力於下一代製程節(jié)點的研發(fā)。

(首圖來源：臺積電)