羅姆半導體推出了雙 MOSFET，羅姆兩個列該器件在單個封裝中集成了兩個 100V 芯片，推出通電使其適用于驅動通信基站和工業設備中的新系效風扇電機。這五款新型號已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch)和HP8MEx(Nch+Pch)系列中。低導道場

近年來，雙通通信基站和工業設備已從傳統的羅姆兩個列12V/24V系統轉向48V系統，以通過降低電流值來提高效率。推出通電在這些情況下，新系效開關MOSFET需要具有100V的低導道場耐壓以應對電壓波動，因為風扇電機中也使用48V電源進行冷卻。雙通

然而，羅姆兩個列增加擊穿電壓會增加導通電阻(RDS(on))，推出通電導致效率降低，新系效并且難以同時實現低RDS(on)和高擊穿電壓。低導道場此外，雙通在一個封裝中集成兩個芯片的雙通道MOSFET越來越多地用于節省風扇電機的空間，而不是通常使用的大量單個驅動MOSFET。

作為回應，ROHM 創建了兩個新系列 – HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch) 和 HP8MEx (Nch+Pch) – 它們利用最新的制造技術結合了 Ncher 和 Pch MOSFET 芯片。通過采用具有出色散熱特性的新型背面散熱封裝，兩個系列都實現了業界最低的RDS(on)。

因此，與傳統的雙通道MOSFET相比，RDS(on)降低了56%之多(HSOP8為19.6 mΩ，HSMT8 Nch+Nch為57.0 mΩ)，從而顯著降低了功耗。同時，將兩個芯片組合在一個封裝中，通過顯著減少面積來節省更大的空間。例如，用一個 HSOP8 替換兩個 TO-252 單芯片 MOSFET 可將占位面積減少 77%。

接下來，ROHM 將繼續開發雙通道 MOSFET 的低噪聲變體，以承受工業設備的最佳電壓。預計這將通過節省空間和降低各種應用中的能源消耗，為解決環境保護等社會問題做出貢獻。

審核編輯：彭菁