意法半導體(ST) 近日推出世界首個嵌入硅基半橋驅動芯片和一對氮化鎵(GaN)晶體管的界首晶體集成決方 MasterGaN® 產品平臺，對于400W以下輕便節能的款驅消費電子、工業充電器以及電源適配器而言，動芯意法半導體提出的化解這個集成化方案有助于加快開發速度。
GaN技術 使電子設備能夠處理更大功率，意法同時設備本身變得更小、半導更輕、體推更節能，出世這些改進將會改變用于智能手機的界首晶體集成決方超快充電器和 無線充電器 、用于PC和游戲機的款驅USB-PD緊湊型適配器，以及太陽能儲電系統、動芯不間斷電源或高端OLED電視機和云服務器等工業應用。
在當今的GaN市場上，通常采用分立 功率晶體管 和驅動IC的方案，這要求設計人員必須學習如何讓它們協同工作，實現最佳性能。
意法半導體的MasterGaN方案繞過了這一挑戰，縮短了產品上市時間，并能獲得預期的性能，同時使封裝變得更小、更簡單，電路組件更少，系統可靠性更高。
憑借GaN技術和意法半導體集成產品的優勢，采用新產品的充電器和適配器比普通硅基解決方案縮減尺寸80%，減重70%。
意法半導體執行副總裁、模擬產品分部總經理Matteo Lo Presti表示：“ST獨有的MasterGaN產品平臺是基于我們的經過市場檢驗的專業知識和設計能力，整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術而成，能夠加快節省空間、高能效的環境友好型產品的開發?！?/p>
MasterGaN1是意法半導體新產品平臺的首款產品，集成兩個半橋配置的GaN功率晶體管和高低邊驅動芯片。
MasterGaN1現已量產，采用9mm x 9mm GQFN封裝，厚度只有1mm。
意法半導體還提供一個產品評估板，幫助客戶快速啟動電源產品項目。
技術細節:
MasterGaN平臺借用意法半導體的STDRIVE 600V柵極驅動芯片和GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封裝保證高功率密度，為高壓應用設計，高低壓焊盤間的爬電距離大于2mm。
該產品系列有多種不同RDS(ON) 的GaN晶體管，并以引腳兼容的半橋產品形式供貨，方便工程師成功升級現有系統，并盡可能少地更改硬件。
在高端的高能效拓撲結構中，例如，帶有源鉗位的反激或正激式變換器、諧振變換器，無橋圖騰柱PFC(功率因數校正器)，以及在 AC/DC 和 DC/DC變換器 和DC/AC逆變器中使用的其它軟開關和硬開關拓撲，GaN晶體管的低導通損耗和無體二極管恢復兩大特性，使產品可以提供卓越的能效和更高的整體性能。
MasterGaN1有兩個時序參數精確匹配的常關晶體管，最大額定電流為10A，導通電阻(RDS(ON)) 為150mΩ。
邏輯輸入引腳兼容3.3V至15V的信號，還配備全面的保護功能，包括高低邊UVLO欠壓保護、互鎖功能、關閉專用引腳和過熱保護。
