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英特爾新一代先進封裝,藉玻璃基板方案封裝 1 兆個電晶體



近期因為人工智慧 (AI) 晶片當紅,英特加上先進製程在晶片微縮的爾新技術上面臨瓶頸,這使得先進封裝的代先電晶發展成為當紅炸子雞,包括臺積電、進封基板英特爾、裝藉兆個三星等晶圓代工產業的玻璃領先企業都在積極布局。根據針對媒體所發出的案封裝邀請函指出,英特爾舉行即將公布最新一代先進封裝技術發表會,英特其新公布的爾新新一代先進封裝技術,預計將再對市場投下震撼彈。代先電晶

英特爾新一代先進封裝,藉玻璃基板方案封裝 1 兆個電晶體

根據邀請函的進封基板內容,英特爾表示,裝藉兆個發表會中將宣布英特爾先進封裝技術的玻璃最新發展和突破創新。而此活動將由英特爾院士暨 Substrate TD 模組工程總監 Rahul Manepalli 與英特爾院士暨組裝與測試總監 Pooya Tadayon 主持,案封裝他們將說明玻璃基板如何成為一種可行的英特突破性解決方案,使封裝技術能夠持續擴展,在一個封裝中實現 1 萬億 (兆) 個晶體管,並將摩爾定律延續到 2030 年之後。

事實上,現階段英特爾旗下的主要先進封裝技術分為 2.5D 的 EMIB (嵌入式多晶片互連橋接,為水平整合封裝技術),以及 3D 的 Foveros (採用異質堆疊邏輯處理運算,可以把各個邏輯晶片堆棧一起) 兩大類。首先,2.5D 的 EMIB 主要應用於邏輯運算晶片和高頻寬記憶體的拼接,目前發表的 Intel Xeon Max 系列、Intel Data Cneter GPU Max 系列都已搭載 EMIB 封裝技術。

至於,更先進的 3D Foveros 先進封裝技術部分,則是讓頂層晶片不再受限於基層晶片大小,且能夠搭載更多頂層與基層晶片,並透過銅柱直接將頂層晶片與基板相連,減少矽穿孔 (TSV) 數量以降低其可能造成之干擾。未來將搭載在即將發表的 Meteor Lake、Arrow Lake 和 Lunar Lake 等系列處理器上。

而針對英特爾即將發表的最新一代先進封裝,在邀情函內容中提到,玻璃基板如何成為一種可行的突破性解決方案,使封裝技術能夠持續擴展,在一個封裝中實現 1 萬億個晶體管,並將摩爾定律延續到 2030 年之後,對此市場預計將會是另一個技術亮點,也可能對於相關供應商產生影響,值得屆時拭目以待。

(首圖來源:英特爾)

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