賓夕法尼亞、MALVERN — 2020年12月15日 —日前，業界Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首款推出了一款符合AEC-Q101要求的符合N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，這是推出采用PowerPAK® SO-8L非對稱雙芯片封裝的業界首款此類器件。新的業界Vishay Siliconix SQJ264EP旨在滿足汽車行業節省空間以及提高DC/DC開關模式電源效率的需求。這個新器件在一個5mm x 6mm的首款緊湊型封裝中集成了一個高邊和一個低邊MOSFET，低邊MOSFET的符合最大導通電阻低至8.6 mW。
與單個MOSFET解決方案相比，通過將兩個TrenchFET® MOSFET封裝在一個非對稱封裝中，業界今天發布的首款這款汽車級器件減少了元件數量和電路板空間需求，同時提高了功率密度。符合此外，推出其控制(高邊)和同步(低邊)MOSFET在裸片尺寸上的業界優化組合，可在占空比低于50%的首款功率轉換中提供高于對稱雙器件的效率。
SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V時最大導通電阻為20 mW，典型柵極電荷為9.2 nC，而通道2 MOSFET在10 V時的導通電阻為8.6 mW，典型柵極電荷為19.2 nC。由于沒有內部連接的開關節點，SQJ264EP為設計人員提供了將晶體管配置為不同拓撲的靈活性，包括同步降壓或同步升壓DC/DC轉換器。
由于可在超過+175℃的高溫環境下工作，雙MOSFET能夠提供信息娛樂系統、顯示器、LED照明以及電動自行車等汽車應用所需的耐用性和可靠性。此外，與QFN單封裝和雙封裝相比，SQJ264EP的鷗翼引線允許在其引腳下方實現更好的焊料流，增強自動光學檢查(AOI)能力以及更高的板級可靠性。
這些MOSFET 100%通過了Rg和UIS測試，符合RoHS要求，不含鹵素。
SQJ264EP的樣品和批量產品現已開始提供，大宗訂單的交貨期為12周。
