GaN性能優異，助熔在光電子、劑法晶襯進展微電子器件應用廣泛，生長發展潛力巨大；進一步發展，單底需提升材料質量，研究制備高質量氮化鎵同質襯底。助熔同質襯底有助于發揮GaN基器件性能，劑法晶襯進展助熔劑法極具產業化優勢。生長國際上，單底日本進展迅速（最大超過6 inch，研究位錯密度低至102/cm2 量級）。助熔當前存在著多晶、劑法晶襯進展應力、生長位錯、單底點缺陷、研究均勻性等挑戰。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間，“氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術分會“上，中國科學院蘇州納米所助理研究員司志偉帶來了“助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展 ”主題報告，國際進展及挑戰，主要研究內容及進展。

報告分享了助熔劑法GaN單晶生長及物性研究進展，涉及不同生長機制下應力演化-應力控制，探索單晶制備路線-應力驅動自分離，生長習性研究-Ga&N極性，Ga/N-polar GaN 黃光帶來源-點缺陷，助熔劑法生長的Ga/N-polar GaN普遍存在黃光，N極性明顯強于Ga極性。Ga/N-polar GaN 黃光帶來源-點缺陷，助熔劑法自發形核GaN微晶，微碟光學起源研究-黃綠光(YGL)，光泵浦激發GaN微碟實現紫外激光，實現紫外激光行為的物理機制等。

報告指出，利用島狀生長產生拉應力抵消生長界面壓應力，實現良好的應力控制，成功獲得3英寸、無裂紋的Na-flux GaN體單晶；探索單晶制備新路徑，利用籽晶回溶腐蝕，產生空洞輔助自分離，獲得了自分離、無應力GaN，并探討了其分離機制；

在同一生長條件下同時獲得Ga&N極性GaN，首次系統研究了其生長習性及其應力分布，顯著降低位錯至4-8x105cm-2；對Ga&N極性GaN的YL起源深入研究，排除了位錯、鎵空位相關的缺陷，通過缺陷形成能計算及SIMS表征，證實了C雜質相關的缺陷導致YL出現，為進一步調控載流子及缺陷發光提供指導。

對自發形核微晶進行系統的光譜學研究，為揭示氮化鎵材料黃綠/紫外發光起源及生長條紋研究提供了嶄新的研究視角，并用光泵浦實現了紫外激射，擴展了氮化鎵微碟激光器的制備路線。

為進一步獲得更大尺寸、更高質量GaN生長研究奠定了基礎。高質量大尺寸GaN體單晶需要進一步進行雜質調控、降低位錯、制備更高質量、更大尺寸氮化鎵體單晶。

審核編輯：劉清