NOX_DDR4_768.jpg
2016-11-2420:55上傳
支援技嘉的憶體約％準系統BRIXGamingUHD，讀取速度比標準的提升r推記憶體提昇約為30％，比標準記憶體提升約40％的比標性能。由于採用高品質IC晶片，準記支援對應于1.2V的憶體約％電壓。另外還可以抵抗高達120℃的提升r推耐高低溫。比標
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比標準記憶體提升約40％的性能Apacer推出3,200MHzDDR4
導讀 NOX DDR4 SO-DIMM 3200MHz為Apacer推出的比標高時脈記憶體的新產品。NOX_DDR4_768 jpg (245 36 KB, 下載次數: 1)2016-11 NOXDDR4SO-DIMM3200MHz為Apacer推出的準記高時脈記憶體的新產品。
支援技嘉的憶體約％準系統BRIXGamingUHD，讀取速度比標準的提升r推記憶體提昇約為30％，比標準記憶體提升約40％的比標性能。由于採用高品質IC晶片，準記支援對應于1.2V的憶體約％電壓。另外還可以抵抗高達120℃的提升r推耐高低溫。比標
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支援技嘉的憶體約％準系統BRIXGamingUHD，讀取速度比標準的提升r推記憶體提昇約為30％，比標準記憶體提升約40％的比標性能。由于採用高品質IC晶片，準記支援對應于1.2V的憶體約％電壓。另外還可以抵抗高達120℃的提升r推耐高低溫。比標
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