英飛凌(Infineon)近日宣布，英飛用擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，凌推新增P溝道功率MOSFET，出新以滿足日益增長(zhǎng)的款輻低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的射耐受推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間”應(yīng)用提供高效、溝道可靠的助力功率器件方面邁出了重要一步。

隨著航天技術(shù)的低地道迅猛發(fā)展，LEO衛(wèi)星星座和其他空間系統(tǒng)的球軌部署需求持續(xù)上升。為了成功實(shí)施這些次世代項(xiàng)目，英飛用工程師們需要高性能、凌推快速交付的出新輻射耐受離散元件和集成電路。英飛凌的款輻高可靠性(HiRel)業(yè)務(wù)部門高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Chris Opoczynski表示：“有效的部署需要能夠快速交付和優(yōu)化成本的解決方案。我們充分利用了50年的射耐受航天技術(shù)積累，推出了業(yè)界首個(gè)高效、溝道可靠的功率器件系列，以應(yīng)對(duì)這一動(dòng)態(tài)市場(chǎng)的挑戰(zhàn)。”

新推出的60V P溝道MOSFET與現(xiàn)有的60V和150V N溝道MOSFET相輔相成，所有這些器件均采用塑料封裝。與傳統(tǒng)的密封封裝相比，塑料封裝的成本更低，且能夠通過標(biāo)準(zhǔn)制造工藝實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，極大地提高了生產(chǎn)效率。這種高性價(jià)比的選擇，使得廣泛應(yīng)用于空間探測(cè)和通信的MOSFET成為可能。

值得一提的是，這些輻射耐受離散元件經(jīng)過AEC-Q101相關(guān)測(cè)試認(rèn)證，適用于空間應(yīng)用。其單事件效應(yīng)(SEE)評(píng)級(jí)達(dá)到46 MeV?cm2/mg LET，并且總電離劑量(TID)范圍在30到50 krad(Si)之間。這些性能使得它們可以在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，從而支持長(zhǎng)達(dá)兩到五年的空間任務(wù)。

此外，這些MOSFET的工作溫度范圍為-55°C至175°C，適應(yīng)了各種嚴(yán)苛的工作條件。英飛凌采用的先進(jìn)技術(shù)，如專利的CoolMOS?超結(jié)技術(shù)，使得其N溝道MOSFET在開關(guān)速度方面表現(xiàn)優(yōu)異，相較于其他解決方案具有明顯的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。快速開關(guān)能力不僅可以提高系統(tǒng)的整體效率，還能優(yōu)化能耗，降低運(yùn)營成本。

隨著“新空間”概念的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)高效、可靠的電子元件需求日益增加。英飛凌通過推出適用于LEO應(yīng)用的新款P溝道MOSFET，進(jìn)一步豐富了其輻射耐受器件的產(chǎn)品線，鞏固了在航天技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。未來，隨著太空產(chǎn)業(yè)的不斷演進(jìn)，英飛凌將繼續(xù)致力于提供創(chuàng)新的解決方案，以滿足不斷變化的市場(chǎng)需求。

總之，英飛凌的這一新產(chǎn)品不僅為工程師們提供了更為靈活的設(shè)計(jì)選項(xiàng)，也為未來的太空探索與通信任務(wù)提供了可靠的技術(shù)支持。隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場(chǎng)的擴(kuò)展，英飛凌將繼續(xù)推動(dòng)航天電子產(chǎn)品的創(chuàng)新與發(fā)展，以促進(jìn)整個(gè)行業(yè)的進(jìn)步。