9月20日最新資訊指出，長江存儲出長江存儲面對美國出口禁令及被列入實體清單的使用設(shè)備閃存雙重挑戰(zhàn)，展現(xiàn)出了強大的國產(chǎn)自主創(chuàng)新能力，成功引入國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備以部分替代原有美系設(shè)備，制造實現(xiàn)了供應(yīng)鏈的芯片自立自強。

長江存儲自主研發(fā)的長江存儲出Xtacking架構(gòu)技術(shù)，引領(lǐng)了3D NAND閃存領(lǐng)域的使用設(shè)備閃存新突破，其堆疊層數(shù)已可達到驚人的國產(chǎn)232層，這一成就即便在全球頂尖制造商如美光、制造三星及SK海力士面前，芯片也彰顯出顯著的長江存儲出競爭優(yōu)勢。

值得一提的使用設(shè)備閃存是，長江存儲已攜手國內(nèi)多家半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)，國產(chǎn)包括中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的制造蝕刻設(shè)備、北方華創(chuàng)的芯片沉積與蝕刻設(shè)備，以及拓荊科技的沉積設(shè)備，共同完成了3D NAND閃存芯片的成功制造，標(biāo)志著國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備在高端存儲芯片制造領(lǐng)域邁出了堅實的一步。

盡管目前長江存儲仍需依賴如ASML和泛林集團等國際大廠提供的部分關(guān)鍵設(shè)備，但國產(chǎn)設(shè)備在生產(chǎn)線上的占比正逐步增加，體現(xiàn)了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體實力的提升。

針對外界關(guān)于使用國產(chǎn)設(shè)備后NAND芯片堆疊層數(shù)減少及產(chǎn)量較低的關(guān)注，長江存儲方面回應(yīng)稱，這一調(diào)整是基于當(dāng)前技術(shù)路線與設(shè)備適配性的優(yōu)化考慮，并非設(shè)備產(chǎn)量所限。公司正致力于持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品性能，隨著制造工藝、生產(chǎn)流程的不斷精進及經(jīng)驗的積累，未來將逐步提升堆疊層數(shù)，以滿足市場需求。這一表態(tài)展現(xiàn)了長江存儲對未來發(fā)展的堅定信心與持續(xù)創(chuàng)新的能力。