9月20日最新資訊指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)出長(zhǎng)江存儲(chǔ)面對(duì)美國(guó)出口禁令及被列入實(shí)體清單的使用設(shè)備閃存雙重挑戰(zhàn)，展現(xiàn)出了強(qiáng)大的國(guó)產(chǎn)自主創(chuàng)新能力，成功引入國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備以部分替代原有美系設(shè)備，制造實(shí)現(xiàn)了供應(yīng)鏈的芯片自立自強(qiáng)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)出Xtacking架構(gòu)技術(shù)，引領(lǐng)了3D NAND閃存領(lǐng)域的使用設(shè)備閃存新突破，其堆疊層數(shù)已可達(dá)到驚人的國(guó)產(chǎn)232層，這一成就即便在全球頂尖制造商如美光、制造三星及SK海力士面前，芯片也彰顯出顯著的長(zhǎng)江存儲(chǔ)出競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

值得一提的使用設(shè)備閃存是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已攜手國(guó)內(nèi)多家半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)，國(guó)產(chǎn)包括中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的制造蝕刻設(shè)備、北方華創(chuàng)的芯片沉積與蝕刻設(shè)備，以及拓荊科技的沉積設(shè)備，共同完成了3D NAND閃存芯片的成功制造，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備在高端存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。

盡管目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍需依賴(lài)如ASML和泛林集團(tuán)等國(guó)際大廠提供的部分關(guān)鍵設(shè)備，但國(guó)產(chǎn)設(shè)備在生產(chǎn)線(xiàn)上的占比正逐步增加，體現(xiàn)了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體實(shí)力的提升。

針對(duì)外界關(guān)于使用國(guó)產(chǎn)設(shè)備后NAND芯片堆疊層數(shù)減少及產(chǎn)量較低的關(guān)注，長(zhǎng)江存儲(chǔ)方面回應(yīng)稱(chēng)，這一調(diào)整是基于當(dāng)前技術(shù)路線(xiàn)與設(shè)備適配性的優(yōu)化考慮，并非設(shè)備產(chǎn)量所限。公司正致力于持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品性能，隨著制造工藝、生產(chǎn)流程的不斷精進(jìn)及經(jīng)驗(yàn)的積累，未來(lái)將逐步提升堆疊層數(shù)，以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。這一表態(tài)展現(xiàn)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)未來(lái)發(fā)展的堅(jiān)定信心與持續(xù)創(chuàng)新的能力。