9月20日最新資訊指出，長江存儲出長江存儲面對美國出口禁令及被列入實體清單的使用設備閃存雙重挑戰，展現出了強大的國產自主創新能力，成功引入國產半導體設備以部分替代原有美系設備，制造實現了供應鏈的芯片自立自強。
長江存儲自主研發的長江存儲出Xtacking架構技術，引領了3D NAND閃存領域的使用設備閃存新突破，其堆疊層數已可達到驚人的國產232層，這一成就即便在全球頂尖制造商如美光、制造三星及SK海力士面前，芯片也彰顯出顯著的長江存儲出競爭優勢。
值得一提的使用設備閃存是，長江存儲已攜手國內多家半導體設備領軍企業，國產包括中微半導體設備公司的制造蝕刻設備、北方華創的芯片沉積與蝕刻設備，以及拓荊科技的沉積設備，共同完成了3D NAND閃存芯片的成功制造，標志著國產半導體設備在高端存儲芯片制造領域邁出了堅實的一步。
盡管目前長江存儲仍需依賴如ASML和泛林集團等國際大廠提供的部分關鍵設備，但國產設備在生產線上的占比正逐步增加，體現了中國半導體產業鏈整體實力的提升。
針對外界關于使用國產設備后NAND芯片堆疊層數減少及產量較低的關注，長江存儲方面回應稱，這一調整是基于當前技術路線與設備適配性的優化考慮，并非設備產量所限。公司正致力于持續優化產品性能，隨著制造工藝、生產流程的不斷精進及經驗的積累，未來將逐步提升堆疊層數，以滿足市場需求。這一表態展現了長江存儲對未來發展的堅定信心與持續創新的能力。
