近日，又企業官英寸圓日本礙子株式會(NGK，宣已下文簡稱日本礙子)在其官網宣布，成功已成功制備出直徑為8英寸的制備SiC晶圓，并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圓及相關研究成果。又企業官英寸圓
公開資料顯示，宣已日本礙子成立于1919年5月5日，成功主要業務包括制造和銷售汽車尾氣凈化所需的制備各種工業用陶瓷產品、電子及電氣設備用陶瓷產品、又企業官英寸圓特殊金屬產品、宣已蓄電系統、成功絕緣子和電力相關設備等。制備除了展示8英寸SiC晶圓以外，又企業官英寸圓日本礙子還將披露“在多種襯底上生長低BPD密度4H-SiC單晶的宣已新方法”。日本礙子表示，成功減少SiC襯底中的BPD是提高SiC功率器件產量和可靠性的重要手段。公司開發出了一種工藝，利用其陶瓷加工技術在多個襯底上生長具有低BPD密度的4H-SiC晶體。
今年3月，日本礙子表示，通過該工藝，其完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同時生長了9個晶體的實驗。除了碳化硅，日本礙子在氮化鎵(GaN)方面也有布局。早在2012年，日本礙子便在其他研究機構的協助下，在開發出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進行了發光性能試驗。據介紹，日本礙子的GaN晶片采用其專有的液相晶體生長法生產，整個晶圓表面的BPD密度大幅降低。
