，突破為即將到來的海力量產階段奠定了堅實基礎，也預示著 SK 海力士在 HBM4 市場競爭中占據有利地位。測試

　　IT之家注：良率作為衡量半導體良品比例的良率量產關鍵指標，直接關系到企業的再創指日市場競爭力。SK 海力士的新高 12 層堆迭 HBM4 在 2024 年年底良率已達到 60%，而最新消息稱測試良率已提升至 70%，可待進展迅速。突破

　　消息稱 SK 海力士 HBM4 的海力進展，得益于其第五代 10nm 級 DRAM（1b）的測試應用，該技術在性能和穩定性方面已經過驗證，良率量產并且也用于 SK 海力士的再創指日 HBM3e 產品。

　　鑒于 HBM3E 曾實現 80% 的新高目標良率并縮短 50% 的量產時間，業內人士預測 HBM4 12 層堆迭產品也將快速進入量產階段。可待SK 海力士目前已完成內部技術開發和評估，突破即將提供樣品進行客戶性能測試，通過后即可啟動量產。

　　12 層堆迭 HBM4 有望部署在代號為英偉達下一代 AI 加速器“Grace Hopper”系列中，而此前曝料稱英偉達計劃提前至 2025 年下半年量產“Grace Hopper”系列，這可能促使 SK 海力士進一步加快提升 HBM4 良率和量產進程，以滿足客戶需求。返回搜狐，查看更多