DRAM內(nèi)存市場“代際交接”關(guān)鍵時刻

2025年P(guān)C及服務(wù)器市場中，代際德明代高DDR4的交替技術(shù)滲透率約為20%-30%，而DDR5的賦能方案滲透率約為70%-80%（TrendForce集邦咨詢）。在AI算力爆發(fā)和先進(jìn)制程升級推動下，利新DDR4減產(chǎn)與DDR5產(chǎn)能升級的內(nèi)存窗口期疊加，行業(yè)正面臨結(jié)構(gòu)性變革。代際德明代高在轉(zhuǎn)型期存儲廠商需平衡新舊技術(shù)銜接：既要保障存量設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行，交替技術(shù)又要加速DRAM新架構(gòu)產(chǎn)能落地。賦能方案

數(shù)據(jù)來源：YOLE

穩(wěn)健應(yīng)對

新一輪行業(yè)發(fā)展周期

德明利通過DDR4供應(yīng)保障與DDR5全流程驗證能力，利新動態(tài)調(diào)配產(chǎn)能與強(qiáng)化場景技術(shù)適配能力，內(nèi)存積極面對AI需求迭代與產(chǎn)業(yè)周期波動。代際德明代高

一、交替技術(shù)供應(yīng)鏈穩(wěn)定保障

從傳統(tǒng)DRAM向新一代產(chǎn)品的賦能方案迭代

隨著端側(cè)AI應(yīng)用普及，高效推理及開源策略加速AGI技術(shù)下沉到邊緣計算，利新智能終端對內(nèi)存的內(nèi)存帶寬與能效管理提出更具體要求。當(dāng)前DRAM市場仍以DDR4存量設(shè)備為主流，但隨著Intel、AMD等平臺轉(zhuǎn)向DDR5標(biāo)準(zhǔn)，新一代內(nèi)存技術(shù)迎來發(fā)展契機(jī)。

1、穩(wěn)定保障DDR4內(nèi)存穩(wěn)定供應(yīng)

通過優(yōu)化生產(chǎn)計劃與庫存管理，確保DDR4內(nèi)存模塊的穩(wěn)定供應(yīng)，同時提供全國產(chǎn)化替代方案，減少客戶因庫存短缺或積壓帶來的風(fēng)險；

2、靈活調(diào)整推出全新產(chǎn)品線

推出DDR5和LPDDR5/5X產(chǎn)品線，通過靈活調(diào)配資源，滿足工業(yè)、消費(fèi)電子細(xì)分市場的差異化需求，降低客戶切換過程中供應(yīng)鏈波動風(fēng)險。

二、柔性產(chǎn)能布局，AI終端升級中的內(nèi)存兼容性與可靠性

AI算力增長推動DRAM場景需求變革，未來AI PC入門級標(biāo)配將提升至32GB以上內(nèi)存。然而新架構(gòu)也面臨如下問題：

DDR5架構(gòu)革新需提升雙通道帶寬、動態(tài)電壓調(diào)節(jié)等特性，與終端硬件匹配存在兼容性問題。

LPDDR5/5X在移動設(shè)備中需適配完善高可靠、成熟的測試方案。

01全流程驗證能力

德明利提供從晶圓到模組的定制化驗證服務(wù)，包括兼容性測試、功耗優(yōu)化及性能調(diào)校，縮短客戶的技術(shù)升級周期。例如，其DDR5內(nèi)存條通過一鍵超頻技術(shù)實(shí)現(xiàn)頻率突破至10000+Mbps，同時動態(tài)電壓調(diào)節(jié)技術(shù)使功耗降低20%，確保產(chǎn)品在復(fù)雜場景中的穩(wěn)定性。

02場景化技術(shù)適配

1、針對AI PC、智能穿戴設(shè)備，德明利通過行業(yè)主流ATE機(jī)臺、SLT-Test測試系統(tǒng)等先進(jìn)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級測試的靈活性與高兼容性，覆蓋高密度模組散熱管理、低功耗場景能效優(yōu)化等需求。

2、德明利還通過全生命周期品質(zhì)保障，確保產(chǎn)品特性與場景需求的動態(tài)匹配。

在內(nèi)存代際交替的關(guān)鍵階段

存儲技術(shù)通過架構(gòu)革新支撐數(shù)據(jù)價值的深度釋放

德明利持續(xù)構(gòu)建與算力匹配的先進(jìn)存力

推動新一代內(nèi)存的性能潛力轉(zhuǎn)化為場景價值

以靈活的供應(yīng)鏈與全面的技術(shù)服務(wù)

成為行業(yè)轉(zhuǎn)型的可靠伙伴