euv即極紫外線光刻技術是光刻光刻技術領域的新技術，被視為未來半導體制造領域的機研重要部分。但是發歷，euv技術的光刻開發存在很多困難，仍然存在局限性。機研

asml是發歷euv技術開發的領先者。asml公司是光刻半導體領域光刻機生產企業的領頭羊，也是機研全球市場占有率最大的光刻機生產企業。2012年，發歷asml推出了世界上第一個euv試制品，光刻并于2016年推出了euv第一個商用顯卡制造機asmlnxe:3400b。機研共花費了7年的發歷時間。2019年，光刻asml發布了euv的機研第一個量產版本asmlnxe:3400c，宣布euv光刻機技術的發歷正式量產階段。

在asml中，euv光刻機的開發過程也很長。asml將從2001年開始投入巨額資金和人力，到2019年批量生產，歷時10年完成。這體現了euv光刻機技術在發展過程中所克服的技術難題和挑戰。

asml公司的euv光刻機技術的突破是光刻機領域的偉大成就，但據許多報道，光刻機的突破并不完全是事實。也有媒體不正確或報道不完全或夸張描寫，試圖吸引眼球的情況。