美系外資今（8 日）出具最新報告指出，價格減產(chǎn)積極由於需求疲軟，侵蝕NOR Flash 價格第四季持續(xù)走低，延續(xù)影響價格侵蝕將逐漸穩(wěn)定，對明而 NAND 潛在漲價氛圍有助客戶在明年以前拉貨，價格減產(chǎn)積極更看好華邦電股價表現(xiàn)。侵蝕

時序進(jìn)入下半年，延續(xù)影響NOR 供應(yīng)商市況出現(xiàn)分歧，對明主流記憶體前景較好，價格減產(chǎn)積極有助於股價推升，侵蝕而 NOR 價格侵蝕會延續(xù)至第四季，延續(xù)影響平均銷售價格會出現(xiàn)低個位數(shù)降幅。對明

不過三星減產(chǎn)可能引發(fā) 3D NAND 漲價效應(yīng)，價格減產(chǎn)積極很可能也會改變客戶在 NOR 和 SLC NAND 的侵蝕採購策略，美系外資認(rèn)為 SLC NAND 和 NOR 第四季不會漲價，延續(xù)影響但對明上半年有積極影響。

美系外資稱，由於地緣政治關(guān)係，市占率可能發(fā)生更多變化。一方面，中國供應(yīng)商明年前可能會清理更多庫存，尤其是二線 NOR 廠商可能祭出價格戰(zhàn)；另一方面，臺灣供應(yīng)商有望獲取更多市占率，儘管 PC 等部分領(lǐng)域庫存較低，目前 NOR 庫存水準(zhǔn)仍為 2-3 個月。

隨著消費(fèi)者對 NOR 的需求轉(zhuǎn)向臺灣，美系外資更看好華邦電股價表現(xiàn)，因?yàn)槿A邦電的 DRAM 定價也很穩(wěn)定，而旺宏較有汽車 NOR 風(fēng)險和 ROM 庫存壓力。

（首圖來源：shutterstock）

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