中國上海，效率2020年10月19日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，東芝電源的新推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。推出碳化該產品面向工業應用(包括大容量電源)，適用并于今日開始出貨。于高
該功率MOSFET采用碳化硅(SiC)這種新材料，與常規的東芝電源的新硅(Si)MOSFET、IGBT產品相比，推出碳化具有高耐壓、適用高速開關和低導通電阻特性，于高有利于降低功耗，效率精簡系統。
新產品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設計生產，實現了輸入電容低、柵輸入電荷低、漏源導通電阻低等特性。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管(IGBT)“GT40QR21”相比，“TW070J120B”關斷開關損耗降低80%左右，開關時間(下降時間)縮短大約70%，并且能夠在不超過20A的漏極電流下提供低導通電壓。
它的柵閾值電壓被設置在4.2V至5.8V的較高電壓范圍內，有助于減少故障風險(意外開啟或關閉)。此外，內置的具有低正向電壓的碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)也有助于降低功率損耗。
在大容量AC-DC轉換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉換器等工業應用中，這種新型MOSFET不僅將通過降低功率損耗來達到提高效率的目的，而且也將為縮小設備尺寸做出貢獻。
應用：
?大容量AC-DC轉換器
?光伏逆變器
?大容量雙向DC-DC轉換器
特性：
?第2代芯片設計(內置碳化硅SBD)
?高電壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導通電阻、低二極管正向電壓、高柵閾值電壓：
VDSS=1200V，Ciss=1680pF(典型值)，Qg=67nC(典型值)，
RDS(ON)=70mΩ(典型值)，VDSF=-1.35V(典型值)，Vth=4.2～5.8V
?增強類型易于操作
主要規格：
