羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司深圳分公司技術(shù)中心高級(jí)經(jīng)理蘇勇錦表示：“我們今天重點(diǎn)展示了基于TRCDRIVE pack?碳化硅塑封模塊的展重三相全橋評(píng)估套件。TRCDRIVE pack?是磅展用于電動(dòng)汽車主機(jī)逆變器的電控領(lǐng)域的模塊產(chǎn)品。該產(chǎn)品主要特點(diǎn)是出合小型化、高功率，引領(lǐng)具備四大優(yōu)勢：一、電動(dòng)該系列內(nèi)置第四代SiC MOSFET，汽車采用了溝槽工藝，革新達(dá)到業(yè)界超低的羅姆單位面積導(dǎo)通電阻；二、產(chǎn)品優(yōu)化了基板的展重布局，可以做到低寄生電感，磅展開關(guān)損耗比傳統(tǒng)的模塊降低一個(gè)等級(jí)；三、模塊采用了press fit pin和塑封工藝結(jié)合，小型化水平做到更低，實(shí)現(xiàn)了普通SiC塑封模塊1.5倍的業(yè)界超高密度；四、這款二合一的SiC模塊系列產(chǎn)品陣容，分為兩個(gè)耐壓級(jí)別：一個(gè)是750V，另外一個(gè)是1200V，分別對(duì)應(yīng)400V電壓平臺(tái)和800V的電壓平臺(tái)。滿足大功率輸出應(yīng)用場景，助力xEV逆變器小型化發(fā)展趨勢。”
羅姆發(fā)布碳化硅品牌EcoSiCTM,驅(qū)動(dòng)SiC業(yè)務(wù)高速增長
國際調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole報(bào)告顯示，車載SiC的主戰(zhàn)場是牽引逆變器，全球SiC模塊主要分為兩類：塑封型和灌膠型。現(xiàn)在300A 以上的大電流和400V以上的高耐壓區(qū)需要全SiC模塊。
今年羅姆正式發(fā)布了EcoSiCTM品牌，這個(gè)品牌有兩大寓意，前半部分Eco有“環(huán)保、生態(tài)”的含義，SiC是羅姆重點(diǎn)發(fā)展的戰(zhàn)略產(chǎn)品之一。 “E”代表地球、元器件，“E”的藍(lán)色底色是代表羅姆對(duì)未來技術(shù)的創(chuàng)新，現(xiàn)在主流的碳化硅器件都是6HSiC，于是采用六邊形的結(jié)構(gòu)，羅姆希望EcoSiCTM可以引領(lǐng)碳化硅朝著創(chuàng)新和更環(huán)保、更生態(tài)的路線發(fā)展。
羅姆半導(dǎo)體從2009年已經(jīng)開始在SiC領(lǐng)域進(jìn)行大規(guī)模的投入，預(yù)計(jì)2025財(cái)年銷售目標(biāo)預(yù)計(jì)將達(dá)到1100億日幣，2027財(cái)年SiC業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)銷售將達(dá)到2200億日幣。目前統(tǒng)計(jì)到2027年量產(chǎn)的所有項(xiàng)目，羅姆已經(jīng)在全球范圍內(nèi)獲得130家以上的Design-win。
除了車載逆變器，隔離柵極驅(qū)動(dòng)器也是羅姆半導(dǎo)體主要發(fā)力的領(lǐng)域。2016年2月，羅姆開始量產(chǎn)磁隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。現(xiàn)在市場份額全球第一。后面隨著電動(dòng)車對(duì)高可靠性、高性能的需求越來越多，羅姆在隔離柵極驅(qū)動(dòng)器市場的份額繼續(xù)增長。
2025年量產(chǎn)第五代SiC MOSFET
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司正在迅速進(jìn)入8英寸SiC生產(chǎn)領(lǐng)域。自2023年以來，包括英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美、羅姆和博世在內(nèi)的公司都已啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)認(rèn)證。
在PCIM展位上，羅姆半導(dǎo)體首次在中國展示了8英寸SiC Wafer和8英寸SiC襯底工藝。“2023年底，羅姆已經(jīng)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅襯底的量產(chǎn)，是由羅姆收購的德國SiCrystal公司完成，這里展示了8英寸SiC MOSFET Wafer產(chǎn)品。2025年，羅姆第五代SiC MOSFET將會(huì)在8英寸SiC晶圓上量產(chǎn)。”羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司深圳分公司技術(shù)中心高級(jí)經(jīng)理蘇勇錦在當(dāng)天的媒體交流會(huì)上透露。
據(jù)悉，搭載羅姆的第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊成功應(yīng)用于浙江吉利控股集團(tuán)的電動(dòng)汽車品牌“極氪”的“X”、 “009”、 “001”3種車型的主機(jī)逆變器上。
蘇勇錦透露，羅姆正在推進(jìn)SiC器件的開發(fā)，計(jì)劃于2025年推出第5代SiC MOSFET，同時(shí)也提前了第6代及第7代產(chǎn)品的市場投入計(jì)劃。并且，通過構(gòu)筑SiC供應(yīng)體制，實(shí)現(xiàn)以裸芯片、分立器件和模塊等各種形態(tài)供貨，從而促進(jìn)SiC的普及，為實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會(huì)做出貢獻(xiàn)。
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