上海2021年10月29日 /美通社/ -- 瀾起科技宣布其DDR5第一子代內存接口及模組配套芯片已成功實現量產。模組該系列芯片是配套DDR5內存模組的重要組件，包括寄存時鐘驅動器 (RCD)、實現數據緩沖器 (DB)、瀾起量產串行檢測集線器 (SPD Hub)、科技口及溫度傳感器 (TS) 和電源管理芯片 (PMIC)，宣布芯片可為DDR5 RDIMM、第代內LRDIMM、存接UDIMM、模組SODIMM等內存模組提供整體解決方案。配套
隨著信息技術的飛速發展，內存技術現已發展至DDR5世代。作為業界領先的內存接口芯片組供應商和JEDEC內存標準的積極貢獻者，瀾起科技專注于內存接口技術的持續創新，這次推出的DDR5第一子代內存接口芯片RCD/DB，支持的最高速率達4800Mbps，是DDR4最高速率的1.5倍；接口電壓低至1.1V，能耗更低；采用創新的信號校準協議及均衡技術，大幅提高了內存信號完整性。
與DDR4內存模組相比，DDR5內存模組在架構上進行了革新，除配置內存顆粒和內存接口芯片之外，還需要搭配其它專用配套芯片。瀾起科技精準把握這一技術趨勢，首次推出了DDR5 PMIC、TS 及SPD Hub這三款配套芯片，可為DDR5內存模組提供多通道電源及管理、多點溫度檢測、I3C串行總線及路由等輔助功能。這些配套芯片與內存接口芯片一起，共同助力DDR5內存模組在速度、容量、節能及可靠性等方面實現全面提升，滿足新一代服務器、臺式機及便攜式電腦對內存系統的更高要求。
10月27-28日，作為英特爾公司多年的生態伙伴，瀾起科技應邀參加了英特爾舉辦的在線創新峰會 (Intel Innovation)，并在英特爾官網布置虛擬展臺，以視頻、圖片和宣傳彩頁等形式向業界展示了這五款芯片及其應用場景。
瀾起科技在英特爾創新峰會布置虛擬展臺
瀾起科技的銷售及商務拓展副總裁Geof Findley表示：“瀾起在內存接口芯片領域深耕多年，基于DDR2、DDR3、DDR4這幾代產品的成功研發和量產經驗，我們非常高興能為英特爾最新一代的服務器和客戶端產品提供性能更強、可靠性更高的DDR5內存接口解決方案。”
英特爾公司數據平臺集團副總裁兼內存和IO技術總經理Carolyn Duran表示：“英特爾與瀾起科技在內存領域已密切合作了十多年，熱切期待在DDR5內存世代繼續與瀾起科技展開深度合作。”
展望未來，瀾起科技將以自身在內存接口領域的深厚積累和生態優勢，持續為客戶提供卓越的內存接口產品與服務，為數據中心、云計算及人工智能行業創造更大價值。
如需了解更多產品詳情，請參閱：https://www.montage-tech.com/cn/Memory_Interface/DDR5
